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 Temperature-dependent carrier dynamics in red InGaN quantum wells revealed by cathodoluminescence 相关领域
阴极发光
重组
单色
量子阱
材料科学
载流子寿命
光电子学
堆积
激子
光致发光
自发辐射
猝灭（荧光）
扩散
宽禁带半导体
电子迁移率
分子物理学
俄歇效应
量子效率
无辐射复合
载流子产生和复合
晶体缺陷
热的
图层（电子）
载流子密度
氮化镓
化学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Hira Usman; Zhaoxia Bi; Anders Gustafsson; Lars Samuelson 出版日期：2026-05-11 |
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