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 P-type ionization level lowering in ultrawide bandgapAl1−xGaxN[112¯0] digital alloys 超宽带GaPal1-xGaxN[112′0]数字合金中P型电离能级的降低
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期刊：Physical Review B 作者：Xinhao Wang; Jiaduo Zhu; Wei Shang; Shengrui Xu; Liuying Fu; et al 出版日期：2024-07-11 |
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