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 Ion-Implanted Photoresist Stripping by Using Organic Solvents 利用有机溶剂剥离离子注入光致抗蚀剂
相关领域
光刻胶
材料科学
离子注入
离子
分析化学（期刊）
化学
色谱法
纳米技术
图层（电子）
有机化学
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| 其它 | 在离子注入过程中，加速离子不仅攻击目标材料，而且攻击光刻胶，导致光刻胶分子结构变形。标准的光刻胶去除方法很难去除离子注入形成的硬皮层。去除高剂量离子注入光刻胶的典型方法是使用等离子体灰化，然后在热硫酸和过氧化氢的混合物中进行处理[1]。然而，该工艺会蚀刻 III-V 族半导体和介电材料 [2]。因此，在本研究中，开发了基于有机溶剂的混合物来去除高剂量离子注入的光刻胶而不损坏基板。以沟槽图案化的GaAs为基板，在沟槽图案化的GaAs上涂覆KrF光刻胶。然后，P+离子注入剂量5×1015离子/厘米2是在光刻胶上进行的。使用二甲基亚砜（DMSO）和乙腈（AcN）（DMSO：AcN = 6：4）的混合溶液去除离子注入的光刻胶，并使用1 vol% HCl或HF作为添加剂。使用光学显微镜测量光刻胶去除情况原位红外光谱仪。当使用DMSO和AcN的混合溶剂去除离子注入的光刻胶时，光刻胶没有完全去除，残留物和结皮保留在沟槽图案上（图1）。为了提高离子注入光刻胶的去除效率，在DMSO+AcN溶液中添加1%HCl或HF。当向DMSO+AcN溶液中加入1％HCl时，注入能量为30和50keV的离子注入光刻胶被完全去除，无残留。然而，当离子注入能量为70 keV时，DMSO+AcN+HCl溶液中光刻胶结皮没有被去除。当向DMSO+AcN溶液中添加1％HF时，无论离子注入能量如何，离子注入的光刻胶都被完全去除。去除性能定量分析原位MIR-FTIR 如图 2 所示。首先，在 DMSO 中 10 分钟，离子注入的光刻胶去除率不超过 40%。在DMSO+AcN溶液中，6分钟内大部分光刻胶被去除，而使用DMSO+AcN+HCl时4分钟内所有光刻胶被去除。在DMSO+AcN+HF的情况下，所有离子注入的光刻胶在2分钟30秒内被完全去除。因此，证实DMSO+AcN+HF溶液比本研究中使用的其他溶液更快速、更有效地去除离子注入光刻胶。此外，表明DMSO+AcN+HF与离子注入光刻胶之间的最大相互作用能导致光刻胶去除效率的提高 |
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