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 N-polar GaN evolution on nominally on-axis c-plane sapphire by MOCVD Part-II: Microstructural investigation MOCVD法在名义上同轴c面蓝宝石上的N极性GaN演化第二部分：微观结构研究
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期刊：Materials Science and Engineering B 作者：Sabyasachi Saha; Krishna Yaddanapudi; Samartha Channagiri; K. Muraleedharan; D. Banerjee 出版日期：2022-09-24 |
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