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 Measurements of the critical parameters in high aspect ratio semiconductor microstructures such as deep trenches, deep holes, and through silicon vias 深沟槽、深空穴和硅通孔等高纵横比半导体微结构中关键参数的测量
相关领域
硅
材料科学
纵横比（航空）
光电子学
半导体
微观结构
工程物理
复合材料
工程类
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期刊： 作者：Wojtek J. Walecki 出版日期：2022-10-03 |
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Messi
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