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标题
Boron Nitride-Graphene (BN-G) Bilayer as a Channel of Graphene Based Field Effect Transistor
作为石墨烯基场效应晶体管沟道的氮化硼-石墨烯（BN-G）双层
相关领域
材料科学 石墨烯 双层石墨烯 氮化硼 双层 场效应晶体管 光电子学 带隙 晶体管 石墨烯纳米带 纳米技术 凝聚态物理 电压 电气工程 膜 遗传学 生物 物理 工程类
网址
https://doi.org/10.1149/2162-8777/acb56c
AI链接 fraunhofer.de fraunhofer.dedoi.org
DOI
10.1149/2162-8777/acb56c doi
其它 期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology
作者：Mehran Vali; Negin Moezi; Amir Hossein Bayani
出版日期：2023-01-23
求助人
潇洒的荷花 在 2025-12-10 21:23:22 发布自四川，悬赏 10 积分
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