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A Ge-based dual channel rectified single ended Schottky barrier field effect transistor for 2.45 GHz microwave wireless energy transmission 用于2.45 GHz微波无线能量传输的锗基双通道整流单端肖特基势垒场效应晶体管
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期刊:Acta Physica Sinica 作者:Si-Han Bi; Jianjun Song; Dong Zhang; Shiqi Zhang 出版日期:2022-01-01 |
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