An N-type JTE assisted field ring termination for 1200 V SiC MOSFET with increased reliability robustness

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标题	An N-type JTE assisted field ring termination for 1200 V SiC MOSFET with increased reliability robustness
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S136980012...
DOI	10.1016/j.mssp.2025.110162 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Mengyuan Yu; Qingchun Jon Zhang 出版日期：2025-10-19
求助人	XIAO 在 2026-02-06 16:44:24 发布自湖南，悬赏 10 积分
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