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标题
Improved X-Band Performance and Reliability of a GaN HEMT With Sunken Source Connected Field Plate Design
采用凹陷源极连接场板设计提高GaN HEMT X波段性能和可靠性
相关领域
高电子迁移率晶体管 可靠性（半导体） 材料科学 击穿电压 光电子学 晶体管 宽禁带半导体 电气工程 电压 功率密度 功率（物理） 工程类 物理 量子力学
网址
https://doi.org/10.1109/led.2022.3146194
DOI
10.1109/led.2022.3146194 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Kyle M. Bothe; Satyaki Ganguly; Jia Guo; Yueying Liu; Alex Niyonzima; et al
出版日期：2022-01-24
求助人
keyantongaaa 在 2025-12-05 16:15:42 发布自吉林，悬赏 10 积分
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