| 标题 |
 Effect of O2 dilution and substrate temperature on the etching of SiNx in a C4F6/Ar plasma O2稀释和衬底温度对C4F6/Ar等离子体刻蚀SiNx的影响
相关领域
稀释
基质（水族馆）
等离子体
蚀刻（微加工）
化学
分析化学（期刊）
材料科学
环境化学
纳米技术
热力学
物理
图层（电子）
生物
生态学
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Vacuum Science & Technology A Vacuum Surfaces and Films 作者：Xue Wang; Eric A. Hudson; Prabhat Kumar; Sumit Agarwal 出版日期：2025-09-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
null
无极微光
DW
huang
baa
123
乐空思
秦艽
aajhajkahna
极限001
mmmm
大力的图图
舒适的如萱
寂寞的小鱼
吃葡萄不吐葡萄皮
Youdge
天天
arniu2008
茶叶渣显示今天有雨
秋风
皖公网安备34019202002308
