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 Heterostructure performance evaluation: A numerical simulation and analytical modeling of the ferroelectric pocket doped double gate tunnel FET 异质结构性能评估：铁电口袋掺杂双栅隧道FET的数值模拟和解析建模
相关领域
跨导
材料科学
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期刊：International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields 作者：J. E. Jeyanthi; T. S. Arun Samuel; Young Suh Song; M. Venkatesh 出版日期：2023-10-28 |
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luo
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