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标题
Design of Mid-Infrared Ge1-xSnx/Ge Heterojunction Photodetectors on GeSnOI Platform with a Bandwidth Exceeding 100 GHz
带宽超过100 GHz的GeSnOI平台上的中红外Ge1-xSnx/Ge异质结光电探测器设计
相关领域
光电探测器 响应度 暗电流 物理 锗 光电子学 异质结 硅
网址
https://doi.org/10.1109/jstqe.2024.3396608
DOI
10.1109/jstqe.2024.3396608 doi
其它 期刊：IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
作者：Harshvardhan Kumar; Michael Oehme
出版日期：2024-05-03
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