Origin of nonhydrogenic hole transition in boron-doped silicon: An STM/S study

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标题	Origin of nonhydrogenic hole transition in boron-doped silicon: An STM/S study 掺硼硅中非氢空穴跃迁起源的STM/S研究相关领域硅硼扫描隧道显微镜兴奋剂接受者材料科学激发态价（化学）凝聚态物理原子物理学分子物理学纳米技术物理光电子学核物理学量子力学
网址	https://doi.org/10.1103/physrevb.108.235304
DOI	10.1103/physrevb.108.235304 doi
其它	期刊：Physical review. B./Physical review. B 作者：So-Dam Sohn; Ja‐Yong Koo; Daejin Eom 出版日期：2023-12-06
求助人	开放思雁在 2025-08-30 19:57:48 发布，悬赏 10 积分
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