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标题
Fabrication and Characterization of AlGaN/GaN Enhancement-Mode MOSHEMTs With Fin-Channel Array and Hybrid Gate-Recessed Structure and LiNbO3 Ferroelectric Charge Trap Gate-Stack Structure
混合栅凹结构和LiNbO3铁电电荷陷阱栅堆叠结构AlGaN/GaN增强型MOSHEMTs的制备与表征
相关领域
材料科学 光电子学 跨导 铁电性 阈值电压 栅极电介质 场效应晶体管 氮化镓 晶体管 电气工程 电压 电介质 纳米技术 图层（电子） 工程类
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2021.3133385
DOI
10.1109/ted.2021.3133385 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Hsin-Ying Lee; Chia‐Hung Lin; Ching-Ting Lee
出版日期：2021-12-16
求助人
Yiqing 在 2025-10-13 02:00:18 发布自四川，悬赏 10 积分
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