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 High-quality heteroepitaxy of ε-Ga2O3 films on 4H-SiC substrates via MOCVD 利用MEK在4 H-SiC基片上高质量异源生长β-Ga 2 O3薄膜
相关领域
金属有机气相外延
材料科学
质量（理念）
光电子学
纳米技术
外延
图层（电子）
物理
量子力学
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期刊：CrystEngComm 作者：Shu-Jian Chen; Zimin Chen; Weiqu Chen; Paiwen Fang; Zesheng Lv; et al 出版日期：2024-01-01 |
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