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  Extreme reduction of on-resistance in vertical GaN p–n diodes by low dislocation density and high carrier concentration GaN wafers fabricated using oxide vapor phase epitaxy method 相关领域
材料科学
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期刊：Applied Physics Express 作者：Junichi Takino; Tomoaki Sumi; Yoshio Okayama; Akira Kitamoto; Masayuki Imanishi; et al 出版日期：2020-06-25 |
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