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 Advancements in P‐type Wide and Ultra‐Wide Bandgap Oxide Semiconductors for Prospective Applications 用于预期应用的P型宽和超宽带隙氧化物半导体的进展
相关领域
材料科学
带隙
半导体
光电子学
宽禁带半导体
纳米技术
氧化物
工程物理
工程类
冶金
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期刊：Physica Status Solidi (rrl) 作者：Arige Sumanth; Vikash Mishra; Srungarapu Leela Nagendra; M. S. Ramachandra Rao; Tejendra Dixit 出版日期：2025-05-11 |
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