Decay of excess carriers in a two-defect model semiconductor: A time-resolved photoluminescence study

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标题	Decay of excess carriers in a two-defect model semiconductor: A time-resolved photoluminescence study
网址	http://dx.doi.org/10.1063/5.0065600
DOI	10.1063/5.0065600 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Ashwin Hariharan; Sascha Schäfer; Stephan J. Heise 出版日期：2021-12-17
求助人	madmax 在 2026-07-29 11:10:40 发布自印度，悬赏 10 积分
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