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SiC engineered substrate: increasing SiC MOSFETs current density from device to module level
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DOI
10.1109/apec48139.2024.10509052 doi
其它 期刊:2024 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC)
作者:Eric Guiot; Frédéric Allibert; Jürgen Leib; Tom Becker; Alexis Drouin; Walter Schwarzenbach
出版日期:2024-05-03
求助人
flystone 在 2026-04-23 13:07:43 发布自浙江,悬赏 10 积分
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