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 Scalable CMOS back-end-of-line-compatible AlScN/two-dimensional channel ferroelectric field-effect transistors 可扩展的CMOS线后兼容AlScN/二维沟道铁电场效应晶体管
相关领域
材料科学
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期刊：Nature Nanotechnology 作者：Kwan-Ho Kim; Sehoon Oh; Merrilyn Mercy Adzo Fiagbenu; Jeffrey Zheng; Pariasadat Musavigharavi; et al 出版日期：2023-05-22 |
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