Influence of displacement damage induced by neutron irradiation on effective carrier density in 4H-SiC SBDs and MOSFETs

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标题	Influence of displacement damage induced by neutron irradiation on effective carrier density in 4H-SiC SBDs and MOSFETs 中子辐照引起的位移损伤对4H-SiC SBDs和MOSFETs有效载流子密度的影响相关领域材料科学中子辐照流离失所（心理学）光电子学剂量依赖性辐照 MOSFET 载流子密度核物理学晶体管电气工程物理医学兴奋剂工程类电压心理学内科学心理治疗师
网址	https://webvpn.yzu.edu.cn/https/77726476706e6973746865626573...
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？ AI识别 10.7567/1347-4065/aafc9b doi
求助人	眼睛大大叔在 2024-03-27 15:39:26 发布自江苏，悬赏 10 积分
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