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Comparative study on thermal robustness of GaN and AlGaN/GaN MOS devices with thin oxide interlayers |
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Mikito Nozaki; Daiki Terashima; Takahiro Yamada; Akitaka Yoshigoe; Takuji Hosoi; et al 出版日期:2019-05-09 |
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