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 Investigation of the electrical activity of V-defects in GaN using scanning force microscopy 相关领域
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期刊：Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering/Proceedings of SPIE 作者：André Lochthofen; W. Mertin; G. Bacher; Lutz Hoeppel; S. Bäder; et al 出版日期：2009-02-02 |
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