Fabrication of High Aspect Ratio 35 μm Pitch Through-Wafer Copper Interconnects by Electroplating for 3-D Wafer Stacking

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标题	Fabrication of High Aspect Ratio 35 μm Pitch Through-Wafer Copper Interconnects by Electroplating for 3-D Wafer Stacking
网址	https://doi.org/10.1149/1.2236374
DOI	10.1149/1.2236374 doi
其它	期刊：Electrochemical and Solid-State Letters 作者：Pradeep Dixit; Jianmin Miao; Robert Preisser 出版日期：2006
求助人	ccc 在 2026-05-07 17:16:35 发布自四川，悬赏 10 积分
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