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 Investigation of electrical transport mechanisms in p-NiO/n-Ga2O3 junction barrier Schottky diodes with low leakage and high breakdown voltage 相关领域
材料科学
肖特基势垒
光电子学
肖特基二极管
击穿电压
沟槽
反向漏电流
金属半导体结
二极管
泄漏（经济）
电场
电接点
耗尽区
平面的
p-n结
反向偏压
雪崩击穿
肖特基效应
电流密度
电压
雪崩二极管
硅
宽禁带半导体
电气工程
反向二极管
量子隧道
碳化硅
浅沟隔离
高压
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期刊：Physica Scripta 作者：Jinjin Wang; Xueqiang Ji; Haochen Zheng; Longcheng Ye; Zeng Liu; et al 出版日期：2025-09-19 |
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