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 Understanding the role of defects in Silicon Nitride-based resistive switching memories through oxygen doping 通过氧掺杂理解缺陷在氮化硅基电阻开关存储器中的作用
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期刊：IEEE Transactions on Nanotechnology 作者：Nikolaos Vasileiadis; Panagiotis Karakolis; Panagiotis Mandylas; V. Ioannou-Sougleridis; P. Normand; et al 出版日期：2021-01-01 |
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