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 Comparative Investigation on Ionizing Irradiation- Induced Threshold Voltage Degradation for 1200-V DT SiC MOSFET by Experiment and Simulation 1200-V DT SiC MOSFET电离辐射引起阈值电压退化的实验与仿真比较研究
相关领域
MOSFET
材料科学
辐照
降级（电信）
电离辐射
阈值电压
光电子学
碳化硅
电压
电子工程
电气工程
核工程
物理
晶体管
核物理学
工程类
冶金
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：Tao Liu; Rongyao Ma; Shaohong Li; Jingyu Tao; Zhiyu Wang; et al 出版日期：2024-10-14 |
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