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标题
Thin channel Ga2O3 MOSFET with 55 GHz fMAX and >100 V breakdown
具有55 GHz fMAX和>100 V击穿的薄沟道Ga2O3 MOSFET
相关领域
跨导 截止频率 光电子学 材料科学 击穿电压 分子束外延 MOSFET 分析化学（期刊） 外延 电气工程 化学 晶体管 图层（电子） 电压 纳米技术 工程类 色谱法
网址
https://doi.org/10.1063/5.0208580
DOI
10.1063/5.0208580 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Chinmoy Nath Saha; Abhishek Vaidya; Noor Jahan Nipu; Lingyu Meng; Dong Su Yu; et al
出版日期：2024-08-05
求助人
orixero 在 2025-12-04 17:00:25 发布自浙江，悬赏 10 积分
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