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 Thin channel Ga2O3 MOSFET with 55 GHz fMAX and >100 V breakdown 具有55 GHz fMAX和>100 V击穿的薄沟道Ga2O3 MOSFET
相关领域
跨导
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Chinmoy Nath Saha; Abhishek Vaidya; Noor Jahan Nipu; Lingyu Meng; Dong Su Yu; et al 出版日期：2024-08-05 |
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