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Analysis of uniaxial stress impact on drift velocity of 4H-SiC by full-band Monte Carlo simulation 用全波段蒙特卡罗模拟分析单轴应力对4H-SiC漂移速度的影响
相关领域
蒙特卡罗方法
压力(语言学)
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期刊:Solid-State Electronics 作者:T. Nishimura; K. Eikyu; K. Sonoda; T. Ogata 出版日期:2022-11-04 |
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