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标题
Investigation of Threshold Voltage and Drain Current Degradations in Si3N4/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Under X-Ray Irradiation
X射线辐照下Si3N4/AlGaN/GaN MIS-HEMTs阈值电压和漏极电流退化的研究
相关领域
高电子迁移率晶体管 符号 光电子学 材料科学 物理 晶体管 电气工程 拓扑（电路） 数学 电压 组合数学 量子力学 工程类 算术
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3255829
DOI
10.1109/ted.2023.3255829 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Hung-Ming Kuo; Ting‐Chang Chang; Kai‐Chun Chang; Hsin-Ni Lin; Ting-Tzu Kuo; et al
出版日期：2023-03-17
求助人
从容的元芹 在 2025-12-06 11:38:28 发布自黑龙江，悬赏 10 积分
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