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High Quality GaN Epitaxy Induced Nucleation by Ar Ion Implantation into Sapphire Substrate Ar离子注入蓝宝石衬底高质量GaN外延诱导成核
相关领域
材料科学
成核
蓝宝石
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光电子学
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计算机科学
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期刊:Journal of Inorganic Materials 作者:Xia An; Xu Sheng-Rui; TAO Hongchang; SU Huake; Yang He; et al 出版日期:2024-10-17 |
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