| 标题 |
 High Quality GaN Epitaxy Induced Nucleation by Ar Ion Implantation into Sapphire Substrate Ar离子注入蓝宝石衬底高质量GaN外延诱导成核
相关领域
材料科学
成核
蓝宝石
Crystal（编程语言）
离子
光电子学
基质（水族馆）
离子注入
光学
热力学
物理
地质学
海洋学
程序设计语言
激光器
量子力学
计算机科学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Inorganic Materials 作者：Xia An; Xu Sheng-Rui; TAO Hongchang; SU Huake; Yang He; et al 出版日期：2024-10-17 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
researcher
Lv3 求助人 发起了本次求助
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
v0id
DW
Nole
xing_xing
cdercder
凌凌
YY
学术文献互助
潇洒的惋清
OK
舒适的如萱
七听
aajhajkahna
水煮电吹风
MchemG
鲤鱼灵寒
arniu2008
2052669099
dde
皖公网安备34019202002308
