| 标题 |
Effects of TMIn flow rate during quantum barrier growth on multi-quantum well material properties and device performance of GaN-based laser diodes 量子势垒生长过程中TMIn流速对GaN基激光二极管多量子阱材料性质和器件性能的影响
相关领域
材料科学
光电子学
二极管
激光器
量子
流量(数学)
量子点
量子阱
增长率
光学
机械
物理
数学
量子力学
几何学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Chinese Physics B 作者:Zhenyu Chen; Degang Zhao; Feng Liang; Zongshun Liu; Jing Yang; et al 出版日期:2024-10-12 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|