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 Concurrent characterization of GaN MOSHEMT gate leakage via electrical and thermoreflectance measurements 通过电反射和热反射测量同时表征GaN MOSHEMT栅极泄漏
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：David Kortge; Kerry Maize; Xiao Lyu; Peter Bermel; Peide D. Ye; et al 出版日期：2023-07-22 |
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