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 A 0.75V 10nm FinField-Effect Transistor Based Hybrid Self Controlled PreCharge Free Content Addressable Memory for Low Standby Power Applications 基于0.75 V 10nm
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期刊：International Journal of Electronics 作者：A. R. Harihara Shanmugam; Kumar Ponnusamy 出版日期：2024-02-14 |
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