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 Electric field-modulated AlGaN/GaN Schottky barrier diode with high breakdown voltage via polarized charge around thin GaN channel 通过薄GaN沟道周围极化电荷的高击穿电压电场调制AlGaN/GaN肖特基势垒二极管
相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Tao Zhang; Junjie Yu; Heyuan Chen; Yachao Zhang; Shengrui Xu; et al 出版日期：2025-12-08 |
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