| 标题 |
 Polarization-enhanced InGaN/GaN-based hybrid tunnel junction contacts to GaN p–n diodes and InGaN LEDs 相关领域
材料科学
发光二极管
光电子学
二极管
兴奋剂
化学气相沉积
分子束外延
等效串联电阻
宽禁带半导体
电压
极化（电化学）
外延
化学
纳米技术
电气工程
物理化学
图层（电子）
工程类
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期刊：Applied Physics Express 作者：Asad J. Mughal; Erin C. Young; Abdullah I. Alhassan; Joonho Back; Shuji Nakamura; et al 出版日期：2017-11-27 |
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