| 标题 |
Defects related to electrical doping of 4H-SiC by ion implantation 相关领域
材料科学
薄脆饼
离子注入
掺杂剂
退火(玻璃)
外延
兴奋剂
制作
光电子学
离子
同种类的
掺杂剂活化
纳米技术
复合材料
化学
热力学
有机化学
病理
物理
替代医学
图层(电子)
医学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing 作者:Roberta Nipoti; Hussein M. Ayedh; B. G. Svensson 出版日期:2017-11-06 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)