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Base-emitter leakage and recombination current in an implant isolated region of a GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar transistor
GaAs/AlGaAs异质结双极晶体管注入隔离区的基极——发射极泄漏和复合电流
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期刊:Journal of applied physics 作者:T. Henderson; B. Bayraktaroglu 出版日期:1992-12-01 |
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