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 Investigation on base surface recombination in Self Passivated GaAlAs/GaInP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor 相关领域
异质结双极晶体管
双极结晶体管
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重组
异质发射极双极晶体管
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期刊：The European Physical Journal Applied Physics 作者：R. Bourguiga; H. Sik; A. Scavennec 出版日期：1998-10-01 |
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