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标题
SiC IGBT degradation mechanism investigation under HV-H3TRB tests
相关领域
钝化 材料科学 碳化硅 光电子学 湿度 绝缘栅双极晶体管 栅氧化层 击穿电压 电气工程 电压 晶体管 复合材料 冶金 图层(电子) 工程类 物理 热力学
网址
DOI
10.1007/s43236-023-00726-9 doi
求助人
KK 在 2025-10-27 18:03:30 发布自四川,悬赏 10 积分
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