Reservoir Computing for Temporal Data Processing Using Resistive Switching Memory Devices Based on ITO Treated With O2 Plasma

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标题	Reservoir Computing for Temporal Data Processing Using Resistive Switching Memory Devices Based on ITO Treated With O2 Plasma 基于O2等离子体处理ITO的电阻开关存储器件用于时间数据处理的储层计算相关领域电阻随机存取存储器材料科学锡光电子学氧化铟锡电阻式触摸屏静态随机存取存储器导电体电极纳米技术电子工程电气工程化学薄膜工程类复合材料物理化学冶金
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2023.3317003
DOI	10.1109/ted.2023.3317003 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jung‐Kyu Lee; Osung Kwon; Beomki Jeon; Sungjun Kim 出版日期：2023-10-02
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