Photoemission Study of GaN Passivation Layers and Band Alignment at GaInP(100) Heterointerfaces

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标题	Photoemission Study of GaN Passivation Layers and Band Alignment at GaInP(100) Heterointerfaces GaInP（100）异质界面GaN钝化层和能带排列的光电发射研究相关领域钝化材料科学外延带材弯曲光电子学 X射线光电子能谱半导体异质结费米能级带偏移量化学气相沉积兴奋剂带隙图层（电子）纳米技术价带电子化学工程工程类物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.4c17453
DOI	10.1021/acsami.4c17453 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Sahar Shekarabi; Mohammad Amin Zare Pour; Haoqing Su; Wentao Zhang; C.F. He; et al 出版日期：2025-01-14
求助人	研友_Z33zkZ 在 2025-08-31 20:59:40 发布自上海，悬赏 10 积分
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