Solvent-assisted sulfur vacancy engineering method in MoS2 for a neuromorphic synaptic memristor

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标题	Solvent-assisted sulfur vacancy engineering method in MoS2 for a neuromorphic synaptic memristor 用于神经形态突触忆阻器的MoS2中溶剂辅助硫空位工程方法相关领域二硫化钼空位缺陷硫黄硫系化合物拉曼光谱 X射线光电子能谱材料科学化学物理纳米技术化学光电子学化学工程物理结晶学光学冶金工程类
网址	https://doi.org/10.1039/d3nh00201b
DOI	10.1039/d3nh00201b doi
其它	期刊：Nanoscale horizons 作者：Ji Yeon Kim; Churl Hyun Im; Chan Lee; Jinwoo Hwang; Hyoik Jang; et al 出版日期：2023-01-01
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