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 Impact of precise temperature control for 4H-SiC epitaxy on large diameter wafers 4H-SiC外延精确温度控制对大直径晶片的影响
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期刊： 作者：Yoshiaki Daigo; Tôru Watanabe; Akio Ishiguro; Shigeaki Ishii; Mitsuhiro Kushibe; et al 出版日期：2020-12-15 |
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