Negative capacitance overcomes Schottky-gate limits in GaN high-electron-mobility transistors

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标题	Negative capacitance overcomes Schottky-gate limits in GaN high-electron-mobility transistors GaN高电子迁移率晶体管中的负电容克服了肖特基栅极极限
网址	http://dx.doi.org/10.1126/science.adx6955
DOI	10.1126/science.adx6955 doi
求助人	1575684369 在 2025-07-11 15:12:10 发布自江西，悬赏 10 积分
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