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  Effect of Buffer Layer and III/V Ratio on the Surface Morphology of Gan Grown by MBE 缓冲层和III/V比对MBE生长Gan表面形貌的影响
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期刊：MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 作者：E. C. Piquette; P. M. Bridger; Robin Beach; T. C. McGill 出版日期：1999-01-01 |
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