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 A Novel Si Nanosheet Channel Release Process for the Fabrication of Gate-All-Around Transistors and Its Mechanism Investigation |
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期刊：Nanomaterials (Basel) 作者：Sun X, Wang D, Qian L, Liu T, Yang J, Chen K, Wang L, Huang Z, Xu M, Wang C, Wu C, Xu S, Zhang DW 出版日期：2023-01-27 |
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