Progress in Contact, Doping and Mobility Engineering of MoS2: An Atomically Thin 2D Semiconductor

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标题	Progress in Contact, Doping and Mobility Engineering of MoS2: An Atomically Thin 2D Semiconductor
网址	http://dx.doi.org/10.3390/cryst8080316
DOI	10.3390/cryst8080316 doi
其它	期刊：Crystals 作者：Amritesh Rai; Hema Movva; Anupam Roy; Deepyanti Taneja; Sayema Chowdhury; et al 出版日期：2018-08-06
求助人	111 在 2026-10-12 22:02:35 发布自美国，悬赏 10 积分
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