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 Investigation of parametric variation, gate engineering, RF parameters and interface traps in SOI L-body double gate tunnel field effect transistor SOI L体双栅隧道场效应晶体管参数变化、栅极工程、射频参数和界面陷阱的研究
相关领域
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场效应晶体管
参数统计
光电子学
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统计
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期刊：Materials Science and Engineering B 作者：Deepjyoti Deb; Rupam Goswami; Ratul Kr. Baruah 出版日期：2025-02-26 |
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