Effect of Ni-doped on switching mechanisms and characteristics of ZnO-based memristor: Experimental and first-principles investigations

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标题	Effect of Ni-doped on switching mechanisms and characteristics of ZnO-based memristor: Experimental and first-principles investigations 相关领域材料科学兴奋剂电阻随机存取存储器费米能级空位缺陷光电子学凝聚态物理电导率态密度纳米技术电压电子电气工程化学物理化学量子力学物理工程类
网址	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.159328
DOI	10.1016/j.apsusc.2024.159328 doi
其它	期刊：Applied Surface Science 作者：Hao Wang; Xiaoyi Lei; Zhuqing Liu; Shulong Wang; Yang Dai; et al 出版日期：2024-01-06
求助人	重要冬日在 2025-11-24 15:05:15 发布自天津，悬赏 10 积分
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